Перечень экзаменационных вопросов - polpoz.ru o_O
Главная
Поиск по ключевым словам:
страница 1
Похожие работы
Название работы Кол-во страниц Размер
Строение белков 1 98.44kb.
Перечень заданий экзаменационных вопросов по дисциплине «Финансы... 1 14.75kb.
Примерный перечень экзаменационных вопросов психология отбора и расстановки... 1 85.7kb.
Классификация хрипов, их патогенез. Клиническое значение 1 92.15kb.
Перечень экзаменационных вопросов по дисциплине: «Эксплуатационные... 1 20.02kb.
«Высшая школа экономики» Перечень вопросов для подготовки к экзамену... 1 32.28kb.
Примерный перечень вопросов для подготовки к экзамену по дисциплине 1 50.63kb.
4. Перечень экзаменационных тем Дисциплина: «Микробиологические основы... 1 144.52kb.
Основные положения экзаменационных вопросов по Обществознанию, требующих... 1 209.6kb.
Перечень вопросов, выносимых на зачёт по курсу «Адвокатура в России» 1 34.44kb.
Перечень вопросов для подготовки к зачету по дисциплине «Дискретная... 1 13.02kb.
В. Г. Захаревич «20» июня 2005 г 1 116.04kb.
1. На доске выписаны n последовательных натуральных чисел 1 46.11kb.

Перечень экзаменационных вопросов - страница №1/1

ПЕРЕЧЕНЬ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫХ ВОПРОСОВ

По курсу «Электроника»

1. Собственный полупроводник.

2. Импульсный режим работы транзистора.

3. Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого переходов.

4. Малосигнальные статические H – параметры биполярного транзистора.

5. Переключение диода с прямого напряжения на обратное.

6. Дрейфовый транзистор.

7. Примесная электропроводность полупроводников.

8. Динистор и тиристор.

9. Ёмкостные свойства p-n перехода.

10. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.

11. Варикап.

12. Распределение токов в биполярном транзисторе.

13. Электрический ток в примесном полупроводнике.

15. Диод и транзистор Шоттки.

16. Вольтамперная характеристика реального транзистора.

17. МОП – транзистор со встроенным каналом.

18. Высокочастотные диоды.

19. Влияние температуры на ВАХ транзистора.

20. Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.

21.Усилитель по схеме с общей базой.

22. Светоизлучающие диоды.

23. Дрейфовый транзистор.

24. Туннельный диод.

25. Частотные свойства биполярных транзисторов.

26. Электронно-дырочный переход.

27. Пробой p-n перехода. Виды пробоя переходов.

28. Усилитель по схеме с общим коллектором.

29. Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода.

30. Статические характеристики идеализированного транзистора (схема ОБ).

31. Статические ВАХ реального транзистора (схема ОБ).

32. Биполярный транзистор в режиме с оборванной базой.

33. Модель Молла – Эбберса.

34. Усилитель по схеме с ОЭ.

35. Включение диода под прямое напряжение (область малых времён).

36. Выключение диода находящегося под прямым смещением (область малых времён).

37. Лавинный транзистор.

38. Зависимость электропроводности примесных полупроводников от температуры.

39. Распределение напряжений и токов в базовом элементе ТТЛ.

40. Характеристики и параметры электровакуумного триода.

41. Импульсные диоды.

42. Диоды с накоплением заряда.

43. Транзисторный ключ.

44. Обратное и прямое смещение p-n перехода.

45. Эквивалентрая схема реального транзистора с ОБ.

46. Электровакуумные пентоды. Характеристики и параметры.

47. Фотодиод, характеристики и параметры.

48. Эквивалентрая схема реального транзистора с ОЭ.

49. Кремниевые стабилитроны.

50. Применение кремниевых стабилитронов.

51. Закон степени 3/2. Электровакуумный диод.

52. МОП – транзистор с индуцированным каналом.

53. Влияние модуляции толщины базы на распределение в ней носителей заряда.

54. Усилитель по схеме с общим коллектором.

55. Обращённый диод.

56. Линия задержки сигнала на ПЗС.

57. Шумы полупроводниковых приборов.

58. Полупроводниковые индикаторные приборы.

59. Оптоэлектронные приборы.



60. Выпрямительный диод. Применение и параметры.